IRFB4115PBF
Tranzisztor, N-MOSFET, 150V, 74A, 11mΩ, unipoláris, TO220AB
Nagy teljesítményű kapcsolási feladatokhoz tervezett N-MOSFET tranzisztor, amely 150V drén-forrás feszültséggel és 74A drén árammal működik. Unipoláris kialakítása 11mΩ vezetési ellenállást és 380W teljesítmény elosztást biztosít.
| Gyártói jelölés |
IRFB4115PBF |
| RoHS |
igen |
| Gyártó |
INFINEON TECHNOLOGIES |
| Tokozás |
TO220AB |
| Szerelés |
THT |
| Tranzisztor típusa |
N-MOSFET |
| Polaritás |
unipoláris |
| Technológia |
HEXFET® |
| Drén - forrás feszültség |
150V |
| Drén áram |
74A |
| Ellenállás vezetési állapotban |
11mΩ |
| Kapu-forrás feszültség |
±20V |
| Kapu töltés |
77nC |
| teljesítmény elosztás |
380W |
| Csatorna fajta |
növelés |
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/
Mennyiség (db):
Egységár ÁFA nélkül
| 1+ |
805 Ft
|
| 5+ |
605 Ft
|
| 10+ |
573 Ft
|
| 20+ |
553 Ft
|
| 50+ |
532 Ft
|
* A megjelenített ár az
egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül.
Módosításához kattintson a fejléc

ikonjára.
| Elérhetőség |
Menny. |
| 3 munkanap |
> 5000 |
| 10-15 munkanap |
> 50000 |
Termékajánló

TP65H030G4PWS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 55.7A, 41mΩ, egysarkú

TP65H070G4PS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 29A, 85mΩ, egysarkú

UJ4C075023K3S
Szilícium-karbid (SiC) kaszkód JFET – EliteSiC, N-csatornás teljesítménytranzisztor, TO247-3, 750 V, 23 mΩ

AOD4184A
Tranzisztor, N-MOSFET, 40V, 40A, 12mΩ, unipoláris, TO252