DMG6968UDM-7
Tranzisztor, N-MOSFET x2, 20V, 5,2A, 24mΩ, unipoláris, SOT26
Kettős N-MOSFET tranzisztor, közös drain konfigurációval, elektronikus kapcsolási feladatokhoz és áramkörök vezérléséhez készült. Az SMD tokozású eszköz 20V drén-forrás feszültséggel és 5.2A drén árammal működik, alacsony, 24mΩ vezetési ellenállással. ESD védelemmel ellátott, és -55...150°C széles üzemi hőmérséklet tartományban is megbízhatóan alkalmazható.
| Gyártói jelölés |
DMG6968UDM-7 |
| RoHS |
igen |
| Gyártó |
DIODES INCORPORATED |
| Tokozás |
SOT26 |
| Szerelés |
SMD |
| Tranzisztor típusa |
N-MOSFET x2 |
| Polaritás |
unipoláris |
| Üzemi hőmérséklet |
-55...150°C |
| Félvezető struktúra |
közös drain |
| Drén - forrás feszültség |
20V |
| Drén áram |
5,2A |
| Ellenállás vezetési állapotban |
24mΩ |
| Kapu-forrás feszültség |
±12V |
| Verzió |
ESD |
| teljesítmény elosztás |
0,85W |
| Csomagolás fajtája |
szalag |
| Csatorna fajta |
növelés |
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/
Mennyiség (db):
Egységár ÁFA nélkül
| 1+ |
312 Ft
|
| 5+ |
195 Ft
|
| 10+ |
171 Ft
|
| 20+ |
157 Ft
|
| 50+ |
147 Ft
|
* A megjelenített ár az
egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül.
Módosításához kattintson a fejléc

ikonjára.
| Elérhetőség |
Menny. |
| 3 munkanap |
> 250 |
Termékajánló

TP65H030G4PWS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 55.7A, 41mΩ, egysarkú

TP65H070G4PS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 29A, 85mΩ, egysarkú

UJ4C075023K3S
Szilícium-karbid (SiC) kaszkód JFET – EliteSiC, N-csatornás teljesítménytranzisztor, TO247-3, 750 V, 23 mΩ

AOD4184A
Tranzisztor, N-MOSFET, 40V, 40A, 12mΩ, unipoláris, TO252