SIHP065N60E-GE3
Tranzisztor, N-MOSFET, 600V, 25A, 65mΩ, unipoláris, TO220AB
N-MOSFET tranzisztor, mely 600V drén-forrás feszültséggel és 25A drén árammal ideális nagyfeszültségű kapcsolási alkalmazásokhoz, például tápegységekben vagy motorvezérlésben. Alacsony, 65mΩ vezetési ellenállása és 250W teljesítmény elosztása minimalizálja a veszteségeket. A ±30V kapu-forrás feszültség és 98nC kapu töltés precíz vezérlést biztosít.
| Gyártói jelölés |
SIHP065N60E-GE3 |
| RoHS |
igen |
| Gyártó |
VISHAY |
| Tokozás |
TO220AB |
| Szerelés |
THT |
| Tranzisztor típusa |
N-MOSFET |
| Polaritás |
unipoláris |
| Drén - forrás feszültség |
600V |
| Drén áram |
25A |
| Ellenállás vezetési állapotban |
65mΩ |
| Kapu-forrás feszültség |
±30V |
| Kapu töltés |
98nC |
| teljesítmény elosztás |
250W |
| Csatorna fajta |
növelés |
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: Vishay Intertechnology, Inc.
Postai cím: 4840 Telefunkenstrasse 5, Voecklabruck, Austria
Elektronikus cím: https://www.vishay.com/
Mennyiség (db):
Egységár ÁFA nélkül
| 1+ |
2 923 Ft
|
| 5+ |
2 636 Ft
|
| 10+ |
2 570 Ft
|
| 20+ |
2 515 Ft
|
| 50+ |
2 442 Ft
|
* A megjelenített ár az
egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül.
Módosításához kattintson a fejléc

ikonjára.
| Elérhetőség |
Menny. |
| 3 munkanap |
> 500 |
Termékajánló

LP0701N3-G
Tranzisztor, P-MOSFET, -16,5V, -0,5A, 1.5Ω, unipoláris, TO92

TP65H030G4PWS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 55.7A, 41mΩ, egysarkú

TP65H070G4PS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 29A, 85mΩ, egysarkú

UJ4C075023K3S
Szilícium-karbid (SiC) kaszkód JFET – EliteSiC, N-csatornás teljesítménytranzisztor, TO247-3, 750 V, 23 mΩ