NP110N04PUK-E1-AY
Tranzisztor, N-MOSFET, 40V, 110A, 1.4mΩ, egysarkú, TO263-3
Nagy áramú kapcsolási feladatokhoz ideális N-MOSFET tranzisztor. 40V drén-forrás feszültséggel és 110A drén árammal működik, mindössze 1.4mΩ vezetési ellenállás mellett. Széles, -55 és 175°C közötti üzemi hőmérséklet-tartományban stabilan működik.
| RoHS |
igen |
| Gyártó |
Renesas Technology |
| Tokozás |
TO263-3 |
| Tranzisztor típusa |
N-MOSFET |
| Polaritás |
egysarkú |
| Üzemi hőmérséklet |
-55...175°C |
| Drén - forrás feszültség |
40V |
| Drén áram |
110A |
| Ellenállás vezetési állapotban |
1.4mΩ |
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/
Mennyiség (db):
Egységár ÁFA nélkül
| 1+ |
3 113 Ft
|
| 5+ |
2 819 Ft
|
| 10+ |
2 749 Ft
|
| 20+ |
2 691 Ft
|
| 50+ |
2 613 Ft
|
* A megjelenített ár az
egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül.
Módosításához kattintson a fejléc

ikonjára.
| Elérhetőség |
Menny. |
| 3 munkanap |
> 1000 |
Termékajánló

LP0701N3-G
Tranzisztor, P-MOSFET, -16,5V, -0,5A, 1.5Ω, unipoláris, TO92

TP65H030G4PWS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 55.7A, 41mΩ, egysarkú

TP65H070G4PS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 29A, 85mΩ, egysarkú

UJ4C075023K3S
Szilícium-karbid (SiC) kaszkód JFET – EliteSiC, N-csatornás teljesítménytranzisztor, TO247-3, 750 V, 23 mΩ