UJ3N065025K3S
Tranzisztor, N-JFET, 650V, 85A, 25mΩ
N-JFET tranzisztor nagyfeszültségű és nagyáramú kapcsolási feladatokhoz. THT szerelésű, 650V drén-forrás feszültséggel és 85A drén árammal rendelkezik, mindössze 25mΩ vezetési ellenállás mellett. Széles, -55 és 175°C közötti üzemi hőmérséklet-tartományban 441W teljesítményt képes kezelni.
| Gyártói jelölés |
UJ3N065025K3S |
| RoHS |
igen |
| Gyártó |
Qorvo / United Silicon Carbide |
| Szerelés |
THT |
| Tranzisztor típusa |
N-JFET |
| Üzemi hőmérséklet |
-55...175°C |
| Drén - forrás feszültség |
650V |
| Drén áram |
85A |
| Ellenállás vezetési állapotban |
25mΩ |
| Kapu töltés |
240nC |
| Teljesítmény elosztás |
441W |
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/
Mennyiség (db):
Egységár ÁFA nélkül
| 1+ |
10 628 Ft
|
| 5+ |
10 025 Ft
|
| 10+ |
9 832 Ft
|
| 20+ |
9 651 Ft
|
| 50+ |
9 388 Ft
|
* A megjelenített ár az
egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül.
Módosításához kattintson a fejléc

ikonjára.
| Elérhetőség |
Menny. |
| 3 munkanap |
> 350 |
Termékajánló

LP0701N3-G
Tranzisztor, P-MOSFET, -16,5V, -0,5A, 1.5Ω, unipoláris, TO92

TP65H030G4PWS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 55.7A, 41mΩ, egysarkú

TP65H070G4PS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 29A, 85mΩ, egysarkú

UJ4C075023K3S
Szilícium-karbid (SiC) kaszkód JFET – EliteSiC, N-csatornás teljesítménytranzisztor, TO247-3, 750 V, 23 mΩ