NTE2926
Tranzisztor, N-MOSFET, 160V, 7A, unipoláris, TO3PN
N-MOSFET tranzisztor, ideális közepes teljesítményű kapcsolási feladatokhoz és erősítő áramkörökhöz. A 160V-os, 7A-es, 100W-os komponens beépített ESD védelemmel rendelkezik a kapun. THT szerelésével egyszerűen integrálható áramkörökbe.
| Gyártói jelölés |
NTE2926 |
| RoHS |
igen |
| Gyártó |
NTE Electronics |
| Tokozás |
TO3PN |
| Szerelés |
THT |
| Fajta csomagolás |
tubus |
| Tranzisztor típusa |
N-MOSFET |
| Polaritás |
unipoláris |
| Félvezető elemek tulajdonságai |
ESD protected gate |
| Drén - forrás feszültség |
160V |
| Drén áram |
7A |
| Kapu-forrás feszültség |
±15V |
| teljesítmény elosztás |
100W |
| Csatorna fajta |
növelés |
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/
Mennyiség (db):
Egységár ÁFA nélkül
| 1+ |
6 165 Ft
|
| 5+ |
5 860 Ft
|
| 10+ |
5 741 Ft
|
| 20+ |
5 632 Ft
|
| 50+ |
5 477 Ft
|
* A megjelenített ár az
egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül.
Módosításához kattintson a fejléc

ikonjára.
| Elérhetőség |
Menny. |
| Rendelésre |
Termékajánló

LP0701N3-G
Tranzisztor, P-MOSFET, -16,5V, -0,5A, 1.5Ω, unipoláris, TO92

TP65H030G4PWS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 55.7A, 41mΩ, egysarkú

TP65H070G4PS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 29A, 85mΩ, egysarkú

UJ4C075023K3S
Szilícium-karbid (SiC) kaszkód JFET – EliteSiC, N-csatornás teljesítménytranzisztor, TO247-3, 750 V, 23 mΩ