IPB60R145CFD7
Tranzisztor, N-MOSFET, 650V, 1.6A, 127mΩ, TO-263-3
N-MOSFET tranzisztor, ideális nagyfeszültségű kapcsoló alkalmazásokhoz. 650V drén-forrás feszültséggel és 1.6A drén árammal, 127mΩ vezetési ellenállása optimalizálja a hatékonyságot. SMD szerelésre alkalmas, -55...150°C üzemi hőmérséklet-tartományban is használható.
| Gyártó |
Infineon (IRF) |
| Tokozás |
TO-263-3 |
| Szerelés |
SMD |
| Tranzisztor típusa |
N-MOSFET |
| Üzemi hőmérséklet |
-55...150°C |
| Csatornák száma |
1 |
| Drén - forrás feszültség |
650V |
| Drén áram |
1.6A |
| Ellenállás vezetési állapotban |
127mΩ |
| Kapu töltés |
31nC |
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/
Mennyiség (db):
Egységár ÁFA nélkül
| 1+ |
1 332 Ft
|
| 5+ |
1 110 Ft
|
| 10+ |
1 070 Ft
|
| 20+ |
1 041 Ft
|
| 50+ |
1 007 Ft
|
* A megjelenített ár az
egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül.
Módosításához kattintson a fejléc

ikonjára.
| Elérhetőség |
Menny. |
| 3 munkanap |
> 75 |
| 10-15 munkanap |
> 1000 |
Termékajánló

LP0701N3-G
Tranzisztor, P-MOSFET, -16,5V, -0,5A, 1.5Ω, unipoláris, TO92

TP65H030G4PWS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 55.7A, 41mΩ, egysarkú

TP65H070G4PS
Tranzisztor, GaN FET, 650V, 29A, 85mΩ, egysarkú

UJ4C075023K3S
Szilícium-karbid (SiC) kaszkód JFET – EliteSiC, N-csatornás teljesítménytranzisztor, TO247-3, 750 V, 23 mΩ