
Nagyfeszültségű és nagyáramú kapcsolási feladatokhoz tervezett N-JFET tranzisztor, ideális energiaátalakító rendszerekhez. 600V drén-forrás feszültséggel, 31A drén árammal és 70mΩ vezetési ellenállással, GaN technológiával minimalizálja a veszteségeket.
| Gyártói jelölés | IGOT60R070D1AUMA1 |
|---|---|
| RoHS | igen |
| Gyártó | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Tokozás | PG-DSO-20 |
| Szerelés | SMD |
| Fajta csomagolás | tekercs, szalag |
| Tranzisztor típusa | N-JFET |
| Polaritás | unipoláris |
| Technológia | CoolGaN™ |
| Kapuáram | 20mA |
| Drén - forrás feszültség | 600V |
| Drén áram | 31A |
| Ellenállás vezetési állapotban | 70mΩ |
| Kapu-forrás feszültség | -10V |
| Kapu töltés | 5.8nC |
| teljesítmény elosztás | 125W |
| Csatorna fajta | növelés |
| Impulzus drain áram | 60A |
Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/
| 1+ | 6 089 Ft |
|---|---|
| 5+ | 5 672 Ft |
| 10+ | 5 554 Ft |
| 20+ | 5 447 Ft |
| 50+ | 5 296 Ft |
ikonjára. | Elérhetőség | Menny. |
|---|---|
| Rendelésre | |
A csomagküldés a magyarországi HESTORE raktárból történik.