FG 6943010 R
N/P DUAL-MOSFET 30V 0,1A
N- és P- csatornás
Tartós drain áram Id : 100 mA
drain-source feszültség Uds: 30 V
Vezetési ellenállás Rds(on): 2 Ohm
Rds(on) teszt feszültség U: 4 V
Küszöb feszültség Ugs: 1 V
Disszipáció Pd: 125 mW
Üzemi hőmérséklet : -40 ... 85 °C
| RoHS |
igen |
| Tokozás |
SOT-666 |
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/
Mennyiség (db):
Egységár ÁFA nélkül
| 1+ |
308 Ft
|
| 5+ |
192 Ft
|
| 10+ |
170 Ft
|
| 20+ |
158 Ft
|
| 50+ |
148 Ft
|
* A megjelenített ár az
egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül.
Módosításához kattintson a fejléc

ikonjára.
| Elérhetőség |
Menny. |
| Rendelésre |
Termékajánló

AOTF12N60
Tranzisztor, N-MOSFET, 600V, 9,7A, 0,55Ω, unipoláris, TO220F

IGOT65R025D2
GaN tranzisztor, 650V, 61A/120A, 30mΩ

P80NF70
Tranzisztor, N-MOSFET, 80V, 90A, 9mΩ, TO-220

IRLML6401TRPBF
Tranzisztor, P-MOSFET, -12V, -4,3A, 50mΩ, unipoláris, SOT23