FG 6943010 R
N/P DUAL-MOSFET 30V 0,1A
N- és P- csatornás
Tartós drain áram Id : 100 mA
drain-source feszültség Uds: 30 V
Vezetési ellenállás Rds(on): 2 Ohm
Rds(on) teszt feszültség U: 4 V
Küszöb feszültség Ugs: 1 V
Disszipáció Pd: 125 mW
Üzemi hőmérséklet : -40 ... 85 °C
| RoHS |
igen |
| Tokozás |
SOT-666 |
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)
Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/
Mennyiség (db):
Egységár ÁFA nélkül
| 1+ |
287 Ft
|
| 5+ |
180 Ft
|
| 10+ |
155 Ft
|
| 20+ |
142 Ft
|
| 50+ |
132 Ft
|
* A megjelenített ár az
egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül.
Módosításához kattintson a fejléc

ikonjára.
| Elérhetőség |
Menny. |
| Rendelésre |
Termékajánló

IPA60R180P7XKSA1
Tranzisztor, N-MOSFET, 650V, 11A, 0.18Ω, egysarkú, TO220FP

TSM150P04LCSRLG
Tranzisztor, P-MOSFET, 40V, 22A, 11mΩ, SOP8

IPD031N03LGATMA1
Tranzisztor, N-MOSFET, 30V, 79A, 3.1mΩ, unipoláris, PG-TO252-3

UT6MA3TCR
Tranzisztor, N/P-MOSFET, 20/-20V, 5,5/-5A, 63/76mΩ, unipoláris, DFN2020D-8