Kérdése
van
?
Főkategória » Tranzisztorok » FET-ek »

IRFBE30

FET N 4,1A/800V
IRFBE30 / FET N  4,1A/800V (IRFBE30PBF / VISHAY)
Összefoglaló, rendeltetés

Nagyfeszültségű kapcsolási feladatokhoz tervezett N-MOSFET tranzisztor, mely 800V drén-forrás feszültséget és 4A drén áramot kezel. THT szerelésű, 125W teljesítmény elosztású és 3Ω vezetési ellenállású, így ideális ipari és tápegység alkalmazásokhoz.

Gyártói jelölés IRFBE30PBF
RoHS igen
Gyártó VISHAY
Tokozás TO220,
TO220AB
Teljesítmény 125W
Szerelés THT
Tranzisztor típusa N-MOSFET
Polaritás egysarkú
Drén - forrás feszültség 800V
Drén áram 4A,
2.6A
Ellenállás vezetési állapotban
Kapu-forrás feszültség ±20V
Kapu töltés 78nC
Csomagolás fajtája tubus
Teljesítmény elosztás 125W
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)

Kereskedelmi név: Vishay Intertechnology, Inc.
Postai cím: 4840 Telefunkenstrasse 5, Voecklabruck, Austria
Elektronikus cím: https://www.vishay.com/

Cikkszám: 100.209.78
Mennyiség (db):

Egységár ÁFA nélkül
1+ 616 Ft
5+ 424 Ft
10+ 395 Ft
20+ 378 Ft
50+ 362 Ft
* A megjelenített ár az egyéni beállításnak megfelelően nettó (ÁFA nélküli) ár, mely már tartalmazza az esetleges egyedi kedvezményt, szállítási költség nélkül. Módosításához kattintson a fejléc ikonjára.

Elérhetőség Menny.
Raktáron > 5
3 munkanap > 1000

Kérdése van?

Írjon nekünk most!

Vásárolták még

A következő termékeket más vásárlók rendelték a fent említett modellel együtt. Kérjük, ellenőrizze a kiválasztott termékek kompatibilitását.
FőoldalSzállításSúgóGyIKRMAÁltalános szerződési feltételek (ÁSZF)AdatvédelemBK-KITSHESTORE APIPartner ProgramVisszahívásElérhetőségek
HESTORE Hungary Kft, minden jog fenntartva! - 2026

Weboldalunk helyes működéséhez sütit készítünk az Ön böngészőjében.
Sütik használatáról bővebben itt olvashat.

A csomagküldés a magyarországi HESTORE raktárból történik.
GLS shipping GLS shipping FoxPost shipping DHL shipping  PayPal payment ISO9001 certified DigiCert SSL security SimplePay payment