Kérdése
van
?
Főkategória » Tranzisztorok » FET-ek »

IRF7306

Tranzisztor, P-MOSFET x2, HEXFET, -30V, -3.6A, 100mΩ, egysarkú, SO8
IRF7306 / Tranzisztor, P-MOSFET x2, HEXFET, -30V, -3.6A, 100mΩ, egysarkú, SO8 (IRF7306PBF / Infineon (IRF))
Generation V Technology
Ultra Low On-Resistance
Dual P-Channel Mosfet
Surface Mount
Available in Tape & Reel
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Gyártói jelölés IRF7306PBF
RoHS igen
Gyártó Infineon (IRF)
Tokozás SO8
Teljesítmény 2W
Szerelés SMD
Tranzisztor típusa HEXFET,
P-MOSFET x2
Polaritás egysarkú
Technológia HEXFET®
Drén - forrás feszültség -30V
Drén áram -3.6A
Ellenállás vezetési állapotban 100mΩ
Kapu-forrás feszültség 20V,
±20V
Kapu töltés 16.7nC
Termikus csatlakozó-környezet ellenállás 62.5K/W
Teljesítmény elosztás 2W
Bővített forgalmazói/gyártói információk (EU 2023/988 rendelet)

Kereskedelmi név: HESTORE Hungary Kft
Postai cím: 1163. Budapest, Cziráki utca 26-32
Elektronikus cím: https://www.hestore.hu/

Cikkszám: 100.261.63
Elérhetőség Menny.
Kifutott

Kérdése van?

Írjon nekünk most!

Alternatívák, hasonló / helyettesítő termékek

FőoldalKosárSzállításSúgóGyIKRMAÁltalános szerződési feltételek (ÁSZF)AdatvédelemBK-KITSHESTORE APIElérhetőségek
HESTORE Hungary Kft, minden jog fenntartva!

Weboldalunk helyes működéséhez sütit készítünk az Ön böngészőjében.
Sütik használatáról bővebben itt olvashat.

A csomagküldés a magyarországi HESTORE raktárból történik.
GLS shipping GLS shipping FoxPost shipping DHL shipping  PayPal payment ISO9001 certified DigiCert SSL security SimplePay payment